2005年4月，意法半導(dǎo)體（ST）與韓國(guó)Hynix半導(dǎo)體（Hynix）投資總額高達(dá)20億美元的存儲(chǔ)器芯片合資項(xiàng)目在無(wú)錫舉行奠基儀式。工廠占地面積55萬(wàn)平方米，無(wú)塵潔凈室達(dá)到2萬(wàn)平方米。
近日，由兩家公司宣布，Hynix-ST（Hynix-ST）半導(dǎo)體有限公司正式開業(yè)。目前DRAM芯片采用80nm、90nm和110nm制造工藝。明年年中，還將開始生產(chǎn)工藝先進(jìn)的NAND閃存。據(jù)稱是中國(guó)目前最大的晶圓制造項(xiàng)目。
