8月8-11日，2011年第十二屆電子封裝技術(shù)與高密度封裝國(guó)際會(huì)議（ICEPT-HDP2011）在上海隆重舉行。此次大會(huì)由中國(guó)電子學(xué)會(huì)電子制造與封裝技術(shù)分會(huì)（CIE-EMPT）主辦，由上海大學(xué)承辦。大會(huì)得到IEEE-CPMT的大力支持，IMAPS、ASME、iNEMI等國(guó)際機(jī)構(gòu)的積極響應(yīng)。來(lái)自全球20余個(gè)國(guó)家、地區(qū)的半導(dǎo)體封測(cè)行業(yè)學(xué)術(shù)帶頭人、行業(yè)專(zhuān)家及學(xué)生代表近400人參加了大會(huì)。上海新陽(yáng)作為大會(huì)支持單位參加了本次會(huì)議，孫江燕總工程師應(yīng)邀擔(dān)任封裝設(shè)備及先進(jìn)制造技術(shù)專(zhuān)題會(huì)議主席，副總工程師王洪博士、技術(shù)中心副主任王先鋒等代表公司參加了本次活動(dòng)。
大會(huì)共宣講了150余個(gè)報(bào)告，內(nèi)容涉及先進(jìn)封裝與系統(tǒng)集成、封裝材料與工藝、封裝設(shè)計(jì)與模擬、高密度基板及組裝技術(shù)、封裝設(shè)備及先進(jìn)制造技術(shù)、質(zhì)量與可靠性、固體照明封裝與集成、新興領(lǐng)域封裝等八大領(lǐng)域。王先鋒代表公司在先進(jìn)封裝與系統(tǒng)集成專(zhuān)題會(huì)場(chǎng)作特邀報(bào)告“TSV底部填充工藝”，向與會(huì)代表介紹了公司從硫酸銅到甲基磺酸銅三代TSV電鍍液添加劑的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用情況。他強(qiáng)調(diào)利用公司3360系列添加劑，幾乎可以達(dá)到完全底部填充的效果，能夠在更短的時(shí)間內(nèi)完成更高效的TSV電鍍填充。報(bào)告反響熱烈，來(lái)自英國(guó)Heriot-Watt大學(xué)的王長(zhǎng)海教授和本次大會(huì)組委會(huì)主席、上海大學(xué)張建華教授因此之故會(huì)后還專(zhuān)程來(lái)公司繼續(xù)作了交流。
此次大會(huì)的一個(gè)很大的特點(diǎn)是國(guó)際性強(qiáng)、層次高、專(zhuān)業(yè)性對(duì)口，一大批知名國(guó)際企業(yè)如ASE、PHILIPS、IBM、Skyworks、長(zhǎng)電科技、通富微電、安靠、Intel等都有代表參加。通過(guò)參加類(lèi)似的活動(dòng)，我們傳播了公司的最新市場(chǎng)、技術(shù)信息，相信公司的國(guó)際知名度也將進(jìn)一步擴(kuò)大。
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